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課程名稱 |
高功率半導體元件設計分析
Analysis and Design of High Power Semiconductor Devices |
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開課學期 |
110-1 |
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授課對象 |
工學院 工程科學及海洋工程學研究所 |
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授課教師 |
李坤彥 |
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課號 |
ESOE5094 |
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課程識別碼 |
525 U9020 |
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班次 |
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學分 |
3.0 |
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全/半年 |
半年 |
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必/選修 |
選修 |
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上課時間 |
星期一6,7,8(13:20~16:20) |
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上課地點 |
工科206 |
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備註 |
總人數上限：22人 |
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Ceiba 課程網頁 |
http://ceiba.ntu.edu.tw/1101ESOE5094_ |
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課程簡介影片 |
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核心能力關聯 |
本課程尚未建立核心能力關連 |
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課程大綱
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為確保您我的權利,請尊重智慧財產權及不得非法影印
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課程概述 |
學習半導體元件之原理與特性，並將其原理應用在高功率半導體的元件設計，如電容、二極體、雙載子接面電晶體、高功率金氧半場效電晶體、絕緣閘雙載子電晶體等，作為電力電子與積體電路設計與分析之基礎。
Learning theories and characteristics of semiconductor devices and then applying theories on design of high power semiconductor devices such as MOS-C, diodes, BJT, MOSFET, and IGBT. These are the basis of IC design and analysis. |
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課程目標 |
學習高功率半導體元件之原理、設計與分析
Learning theory, design and analysis of high power semiconductor devices |
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課程要求 |
評量標準：報告30%、測驗40%、習題作業30%
Grade: Report 30%; Exam 40%; Homework 30% |
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預期每週課後學習時數 |
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Office Hours |
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參考書目 |
Donald A. Neamen, Fundamentals of Semiconductor Physics and Devices, McGraw Hill
M. Rashid, Power electronics: circuits, devices, and application, Prentice-Hall, 2004 |
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指定閱讀 |
待補 |
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評量方式
(僅供參考) |
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