課程名稱 |
高功率半導體元件設計分析 Analysis and Design of High Power Semiconductor Devices |
開課學期 |
107-1 |
授課對象 |
工學院 工程科學及海洋工程學研究所 |
授課教師 |
李坤彥 |
課號 |
ESOE5094 |
課程識別碼 |
525 U9020 |
班次 |
|
學分 |
3.0 |
全/半年 |
半年 |
必/選修 |
選修 |
上課時間 |
星期一6,7,8(13:20~16:20) |
上課地點 |
工科202 |
備註 |
總人數上限:40人 |
Ceiba 課程網頁 |
http://ceiba.ntu.edu.tw/1071ESOE5094_ |
課程簡介影片 |
|
核心能力關聯 |
本課程尚未建立核心能力關連 |
課程大綱
|
為確保您我的權利,請尊重智慧財產權及不得非法影印
|
課程概述 |
學習半導體元件之原理與特性,並將其原理應用在高功率半導體的元件設計,如電容、二極體、雙載子接面電晶體、高功率金氧半場效電晶體、絕緣閘雙載子電晶體等,作為電力電子與積體電路設計與分析之基礎。 |
課程目標 |
學習高功率半導體元件之原理、設計與分析 |
課程要求 |
評量標準:報告30%、測驗40%、習題作業30% |
預期每週課後學習時數 |
|
Office Hours |
|
指定閱讀 |
待補 |
參考書目 |
Donald A. Neamen, Fundamentals of Semiconductor Physics and Devices, McGraw Hill
M. Rashid, Power electronics: circuits, devices, and application, Prentice-Hall, 2004 |
評量方式 (僅供參考) |
|
週次 |
日期 |
單元主題 |
第1週 |
9/10 |
Introduction |
第2週 |
9/17 |
Semiconductor Physics and Devices I |
第3週 |
9/24 |
Semiconductor Physics and Devices II |
第4週 |
10/01 |
Semiconductor Physics and Devices III |
第5週 |
10/08 |
SBD diodes |
第6週 |
10/15 |
PN diodes |
第7週 |
10/22 |
Edge Termination |
|