課程名稱 |
高功率半導體元件設計分析 Analysis and Design of High Power Semiconductor Devices |
開課學期 |
112-1 |
授課對象 |
重點科技研究學院 元件材料與異質整合碩士學位學程 |
授課教師 |
李坤彥 |
課號 |
ESOE5094 |
課程識別碼 |
525EU9020 |
班次 |
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學分 |
3.0 |
全/半年 |
半年 |
必/選修 |
選修 |
上課時間 |
星期一6,7,8(13:20~16:20) |
上課地點 |
工科201 |
備註 |
本課程以英語授課。 總人數上限:45人 |
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課程簡介影片 |
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核心能力關聯 |
本課程尚未建立核心能力關連 |
課程大綱
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課程概述 |
學習半導體元件之原理與特性,並將其原理應用在高功率半導體的元件設計,如電容、二極體、雙載子接面電晶體、高功率金氧半場效電晶體、絕緣閘雙載子電晶體等,作為電力電子與積體電路設計與分析之基礎。
Learning theories and characteristics of semiconductor devices and then applying theories on design of high power semiconductor devices such as MOS-C, diodes, BJT, MOSFET, and IGBT. These are the basis of IC design and analysis. |
課程目標 |
學習高功率半導體元件之原理、設計與分析
Learning theory, design and analysis of high power semiconductor devices |
課程要求 |
評量標準:報告40%、測驗50%、習題作業10%
Grade: Report 40%; Exam 50%; Homework 10% |
預期每週課後學習時數 |
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Office Hours |
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指定閱讀 |
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參考書目 |
Donald A. Neamen, Fundamentals of Semiconductor Physics and Devices, McGraw Hill
M. Rashid, Power electronics: circuits, devices, and application, Prentice-Hall, 2004 |
評量方式 (僅供參考) |
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