課程資訊
課程名稱
薄膜工程專題
SPECIAL TOPICS ON THIN-FILM TECHNOLOGY 
開課學期
97-2 
授課對象
電機資訊學院  電信工程學研究所  
授課教師
林浩雄 
課號
EE5059 
課程識別碼
921 U2760 
班次
 
學分
全/半年
半年 
必/選修
選修 
上課時間
星期四2,3,4(9:10~12:10) 
上課地點
電二146 
備註
總人數上限:60人 
Ceiba 課程網頁
http://ceiba.ntu.edu.tw/972TF 
課程簡介影片
 
核心能力關聯
本課程尚未建立核心能力關連
課程大綱
為確保您我的權利,請尊重智慧財產權及不得非法影印
課程概述

本課程以化合物半導體薄膜磊晶技術為主題。內容為基本磊晶技術、特性量測技術的介紹
以及針對磊晶材料的專題研讀。基本概念介紹由授課教師講演,包括磊晶基本結構、結
構、電性與光學特性與量測技術的介紹。專題研讀的部分選取重要論文,包括如何辨識strained/relaxed layer、relaxed model、成分混亂的晶膜特徵、量子井的特性、特殊缺陷的特性、光學分析方法以及量子點。 

課程目標
化合物半導體磊晶薄膜的光學、電性與結構特性量測技術 
課程要求
 
預期每週課後學習時數
 
Office Hours
另約時間 
參考書目
C. Kittel. Introduction to solid state physics 8th Ed., John Wiley and Sons,
USA, 2005.
V. Swaminathan and A. T. Macrander, Material aspects of GaAs and InP based
structures, Prentice Hall, USA, 1991.
M. B. Panish and H. Temkin, Gas source molecular beam epitaxy,Springer-Verlag,
1993.
M. A. Herman and H. Sitter, Molecular beam epitaxy, 2nd ed., Springer-Verlag,
1996. 
指定閱讀
 
評量方式
(僅供參考)
 
No.
項目
百分比
說明
1. 
期中考 
35% 
 
2. 
期末考 
35% 
按學校時間 
3. 
報告與習題 
30% 
 
 
課程進度
週次
日期
單元主題
第1週
2/19  Introduction 
第2週
2/26  Properties of compound semiconductor 
第3週
3/5  MBE 
第4週
3/12  MOCVD and LPE 
第5週
3/19  Lattice and XRD (Kittle) 
第6週
3/26  Lattice XRD and Strain (Kittel) 
第7週
4/2  溫書假 
第8週
4/9  XRD (Swaminathan and Panish) 
第9週
4/16  Mid test 
第10週
4/23  XRD (Swaminathan and Panish) 
第11週
4/30  XRD (Swaminathan and Panish) 
第12週
5/7  Electirical Characterization (Swaminathan) 
第13週
5/14  Electrical Characterization (Swaminathan) 
第14週
5/21  Optical Characterization (Swaminathan) 
第15週
5/28  端午節 
第16週
6/4  Optical characterization (Swanminathan) 
第17週
6/11  Optical characterization (Swaminathan/Panish) 
第18週
6/18  Final Exam