課程資訊
課程名稱
薄膜工程專題
SPECIAL TOPICS ON THIN-FILM TECHNOLOGY 
開課學期
98-2 
授課對象
電機資訊學院  電子工程學研究所  
授課教師
林浩雄 
課號
EE5059 
課程識別碼
921 U2760 
班次
 
學分
全/半年
半年 
必/選修
選修 
上課時間
星期四2,3,4(9:10~12:10) 
上課地點
電二146 
備註
總人數上限:60人 
Ceiba 課程網頁
http://ceiba.ntu.edu.tw/982TF 
課程簡介影片
 
核心能力關聯
本課程尚未建立核心能力關連
課程大綱
為確保您我的權利,請尊重智慧財產權及不得非法影印
課程概述

.本課程以化合物半導體薄膜磊晶技術為主題。內容為基本磊晶技術、特性量測技術的介紹包括磊晶、結構特性、電子特性與光學特性與量測技術的介紹:
1. Introduction
2. Properties of compound semiconductors
3. Epitaxial technologies: MBE, MOCVD, and LPE
4. Lattice and strain
5. Structural characterization: HRXRD and RSM
6. Electrical characterization: I-V, C-V, and DLTS
7. Optical Characterization: absorption, PL, and Raman 

課程目標
使學生熟悉化合物半導體磊晶薄膜的光學、電性與結構特性量測技術  
課程要求
固態電子學或奈米電子導論 
預期每週課後學習時數
 
Office Hours
 
參考書目
C. Kittel. Introduction to solid state physics 8th Ed., John Wiley and Sons,
USA, 2005.
V. Swaminathan and A. T. Macrander, Material aspects of GaAs and InP based
structures, Prentice Hall, USA, 1991.
M. B. Panish and H. Temkin, Gas source molecular beam epitaxy,Springer-Verlag,
1993.
M. A. Herman and H. Sitter, Molecular beam epitaxy, 2nd ed., Springer-Verlag,
1996.  
指定閱讀
 
評量方式
(僅供參考)
 
No.
項目
百分比
說明
1. 
期中考 
35% 
 
2. 
期末考 
40% 
 
3. 
報告與習題 
25% 
 
 
課程進度
週次
日期
單元主題
第1週
2/25  Introduction 
第2週
3/04  Properties of compound semiconductors 
第3週
3/11  Epitaxial growth 
第4週
3/18  Epitaxial growth 
第5週
3/25  Lattice, XRD and strain (Kittle) 
第6週
4/01  Lattice, XRD and Strain (Kittle) 
第7週
4/08  XRD (Swaminathan and Panish) 
第8週
4/15  XRD (Swaminathan and Panish) 
第9週
4/22  Mid-term Exam 
第10週
4/29  Electrical Characterization (Swaminathan) 
第11週
5/06  Electrical Characterization (Swaminathan) 
第12週
5/13  Optical Characterization (Swanminathan) 
第13週
5/20  Optical Characterization (Swanminathan) 
第14週
5/27  Optical Characterization (Swanminathan) 
第15週
6/03  Optical characterization (Panish) 
第16週
6/10  report 
第17週
6/17  report 
第18週
6/24  Final Exam