課程資訊
課程名稱
光電半導體技術
Compound Semiconductor Technology 
開課學期
109-2 
授課對象
電機資訊學院  電機工程學研究所  
授課教師
林浩雄 
課號
EE5115 
課程識別碼
921 U7150 
班次
 
學分
3.0 
全/半年
半年 
必/選修
選修 
上課時間
星期四2,3,4(9:10~12:10) 
上課地點
電二145 
備註
總人數上限:70人 
Ceiba 課程網頁
http://ceiba.ntu.edu.tw/1092EE5115_CST 
課程簡介影片
 
核心能力關聯
本課程尚未建立核心能力關連
課程大綱
為確保您我的權利,請尊重智慧財產權及不得非法影印
課程概述

本課程介紹以GaAs及InP為主的三五族化合物半導體材料系統的磊晶及製程技術。
一、 光電半導體材料的種類及基本特性
二、 塊材成長技術
三、 真空技術
四、 磊晶技術:分子束磊晶法
五、 磊晶技術:有機金屬化學沈積法
六、磊晶技術:液相磊晶法 

課程目標
瞭解並熟悉三五族化合物半導體的基本晶格結構、能帶性質、光學特性、電學特性、磊晶、製程與量測技術 
課程要求
無預修課程 
Office Hours
每週四 17:20~18:00 
參考書目
教科書: 上課講義
參考書目: T. Swaminathan, and A. T. Macrander, Materials aspects of GaAs and InP based structures, Prentice Hall, 1991.
A. Katz, Indium Phosphide and related materials: Processing, Technology, and Devices, Artech House, 1992.
R. E. Willams, GaAs processing technique, 2nd Ed., Artech House, 1990. 
指定閱讀
 
評量方式
(僅供參考)
 
No.
項目
百分比
說明
1. 
作業 
20% 
 
2. 
期中考 
35% 
 
3. 
期末考 
45% 
 
 
課程進度
週次
日期
單元主題
第1週
02/25  Basic properties: lattice structure 
第2週
03/04  Basic properties: alloy 
第3週
03/11  Basic properties: structural properties 
第4週
03/18  Basic properties: optical and electrical properties 
第5週
03/25  Bulk growth 
第6週
04/01  溫書假 
第7週
04/08  LPE, phase diagram and immiscibility 
第8週
04/15  vacuum technology 
第9週
04/22  Mid-term exam 
第10週
04/29  MBE 
第11週
05/06  MBE 
第12週
05/13  MBE 
第13週
05/20  CVD 
第14週
05/27  CVD 
第15週
06/03  CVD 
第16週
06/10  Processing 
第17週
06/17  Processing 
第18週
06/24  Final exam