課程資訊
課程名稱
金氧半電容元件
MOS CAPACITOR DEVICE 
開課學期
98-1 
授課對象
電機資訊學院  電機工程學研究所  
授課教師
胡振國 
課號
EE5116 
課程識別碼
921 U7170 
班次
 
學分
全/半年
半年 
必/選修
選修 
上課時間
星期四2,3,4(9:10~12:10) 
上課地點
電二229 
備註
總人數上限:80人 
 
課程簡介影片
 
核心能力關聯
本課程尚未建立核心能力關連
課程大綱
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課程概述

1.PH:金氧半物理 (MOS Physics)
2.CV:金氧半電容特性 (MOS CV Characteristics)
3.IT:界面陷阱特性 (Interface Trap Characteristics)
4.SO:矽及氧化層特性 (Si and Oxide Characteristics)
5.CTL:氧化層電荷控制 (Oxide Charge Control)
6.FET:金氧半場效電晶體 (MOS Field Effect Transistor)
7.TS:電晶體結構 (MOSFET Structures)

 

課程目標
本課程主要針對現今IC中最主要元件『金氧半元件』做一深入且偏向實際物理結構、特性、及量測方面之介紹,對研究生而言,不論研究領域是何種專長,金氧半元件特性最好能清楚了解,尤其是對將來要從事IC實際工作者更是需要此方面之知識。本課程前半段著重氧化層及矽基材間之問題探討,後半段著重金氧半場效電晶體之相關性,元件結構設計之相關問題亦在最後一章介紹。 
課程要求
Score Calculation:Home work 30%,Midterm exam 35%,Final exam 35%
Pre Course:Solid-State Electronics
 
預期每週課後學習時數
 
Office Hours
 
參考書目
教科書: 1. E.H.Nicollian and J.R.Brews, 1982, “MOS(Metal Oxide Semiconductor) Physics and Technology”
2. S.Wolf, 1995 “Silicon Processing for the VLSI Era, Volume 3 -The Submicron MOSFET”
3. Y.P.Tsividis, 1988, “Operation and Modeling of The MOS Transistor”
4. IEDM papers
 
指定閱讀
 
評量方式
(僅供參考)
   
課程進度
週次
日期
單元主題
無資料