課程資訊
課程名稱
金氧半電容元件
MOS CAPACITOR DEVICE 
開課學期
99-1 
授課對象
電機資訊學院  電機工程學研究所  
授課教師
胡振國 
課號
EE5116 
課程識別碼
921 U7170 
班次
 
學分
全/半年
半年 
必/選修
選修 
上課時間
星期二2,3,4(9:10~12:10) 
上課地點
電二229 
備註
總人數上限:80人 
 
課程簡介影片
 
核心能力關聯
本課程尚未建立核心能力關連
課程大綱
為確保您我的權利,請尊重智慧財產權及不得非法影印
課程概述

1.PH:金氧半物理 (MOS Physics)
2.CV:金氧半電容特性 (MOS CV Characteristics)
3.IT:界面陷阱特性 (Interface Trap Characteristics)
4.SO:矽及氧化層特性 (Si and Oxide Characteristics)
5.CTL:氧化層電荷控制 (Oxide Charge Control)
6.FET:金氧半場效電晶體 (MOS Field Effect Transistor)
 

課程目標
本課程主要針對現今IC中最主要元件『金氧半元件』做一深入且偏向實際物理結構、特性、及量測方面之介紹,對研究生而言,不論研究領域是何種專長,金氧半元件特性最好能清楚了解,尤其是對將來要從事IC實際工作者更是需要此方面之知識。本課程前半段著重氧化層及矽基材間之問題探討,後半段著重金氧半場效電晶體之相關性。 
課程要求
Score Calculation:Home work 30%,Midterm exam 35%,Final exam 35%
Pre Course:Solid-State Electronics 
預期每週課後學習時數
 
Office Hours
 
參考書目
教科書
1. E.H.Nicollian and J.R.Brews, 1982, “MOS(Metal Oxide Semiconductor) Physics and Technology”
2. Y.P.Tsividis, 1988, “Operation and Modeling of The MOS Transistor” 
指定閱讀
 
評量方式
(僅供參考)
   
課程進度
週次
日期
單元主題
無資料