課程資訊
課程名稱
金氧半電容元件
Mos Capacitor Device 
開課學期
100-1 
授課對象
電機資訊學院  電機工程學研究所  
授課教師
胡振國 
課號
EE5116 
課程識別碼
921 U7170 
班次
 
學分
全/半年
半年 
必/選修
選修 
上課時間
星期二2,3,4(9:10~12:10) 
上課地點
電二229 
備註
總人數上限:80人 
 
課程簡介影片
 
核心能力關聯
本課程尚未建立核心能力關連
課程大綱
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課程概述

1.REL:穩定度概述(Reliability Overview)
2.TS: 電晶體結構 (MOSFET Structure)
3.OT:氧化層穿隧(Oxide Tunneling)
4.RAD:輻射穩定度(Radiation Reliability)
5.SiO2:氧化層生長及穩定度(Oxide Growth and Reliability)
6.NO:氮化氧化層(Nitrided Oxides)
7.HK:高介電常數介電層(High K Dielectics)
8.NVM:非揮發性記憶體(Non-volatile Memory)
9.DRAM:動態隨機存取記憶體(Dynamic RAM)

 

課程目標
本課程主要之討論內容為氧化層之穩定度,在現今IC製程中,氧化層厚度已薄至2nm以下,其對金氧半元件穩定度之影響相當重要,因此相關之製程及特性應加以瞭解。為改善穩定度而設計之各種電晶體結構也會被介紹。元件在輻射線之環境下,特性會受影響,因此必需加以防範,相關之知識將於本課程中提及。此外,最新記憶體元件氧化層技術及結構亦在本課程中介紹,欲對金氧半相關元件有較深入認識之研究生應具備本課程之知識。 
課程要求
作業三至四次(open book)佔30%
期中、期末考(closed book)平均佔70%

預修課程:固態電子學,金氧半電容元件
 
預期每週課後學習時數
 
Office Hours
 
參考書目
教科書: 以發講義及投影片上課方式進行講解
參考書目: 參考書:
1.The International Technology Roadmap For Semiconductor (ITRS)
2.S.Wolf, 1995, “Silicon Processing for the VLSI Era, Volume 3 -The Submicron MOSFET”, Lattice Press.
3.T.Hori, 1997, “Gate Dielectrics and MOS ULSIs”.
4.T.P.Ma and P.V.Dressendorfer, 1989, “Ionizing Radiation Effects in MOS Devices and Circuits”, John Wiley & Sons.
5.Michel Houssa, 2004, “High-k Gate Dielectrics”, IOP Publishing Ltd.
6.Betty Prince, 2002 “Emerging Memories-Technologies and Trends”

 
指定閱讀
 
評量方式
(僅供參考)
   
課程進度
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日期
單元主題