課程名稱 |
薄膜工程專題 SPECIAL TOPICS ON THIN-FILM TECHNOLOGY |
開課學期 |
95-2 |
授課對象 |
電機資訊學院 電機工程學研究所 |
授課教師 |
林浩雄 |
課號 |
EE5059 |
課程識別碼 |
921 U2760 |
班次 |
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學分 |
3 |
全/半年 |
半年 |
必/選修 |
選修 |
上課時間 |
星期四2,3,4(9:10~12:10) |
上課地點 |
電二145 |
備註 |
總人數上限:82人 |
Ceiba 課程網頁 |
http://ceiba.ntu.edu.tw/952TF |
課程簡介影片 |
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核心能力關聯 |
本課程尚未建立核心能力關連 |
課程大綱
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為確保您我的權利,請尊重智慧財產權及不得非法影印
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課程概述 |
本課程以化合物半導體薄膜磊晶技術為主題。內容為基本磊晶技術、特性量測技術的介紹
以及針對磊晶材料的專題研讀。基本概念介紹由授課教師講演,包括磊晶基本結構、結
構、電性與光學特性與量測技術的介紹。專題研讀的部分選取重要論文,逐篇由修課同學
先行在課堂上輪流作初步講解,再由授課教師講評論文實驗分析的結構並作結語。論文的
部分包括如何辨識strained/relaxed layer、relaxed model、成分混亂的晶膜特徵、第二
型量子井的特性、特殊缺陷的特性、光學分析方法以及量子點。 |
課程目標 |
化合物半導體磊晶薄膜的光學、電性與結構特性量測技術 |
課程要求 |
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預期每週課後學習時數 |
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Office Hours |
另約時間 |
指定閱讀 |
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參考書目 |
C. Kittel. Introduction to solid state physics 8th Ed., John Wiley and Sons,
USA, 2005.
V. Swaminathan and A. T. Macrander, Material aspects of GaAs and InP based
structures, Prentice Hall, USA, 1991. |
評量方式 (僅供參考) |
No. |
項目 |
百分比 |
說明 |
1. |
期中考 |
30% |
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2. |
期末考 |
30% |
按學校時間 |
3. |
報告 |
40% |
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週次 |
日期 |
單元主題 |
第1週 |
3/01 |
課程介紹(投影片下載) |
第2週 |
3/08 |
MBE(投影片下載) |
第3週 |
3/15 |
MOCVD and LPE (投影片下載) |
第4週 |
3/22 |
XRD (Kittle) (投影片下載) |
第5週 |
3/29 |
XRD (Swaminathan and Panish) (XRD Swanminathan 投影片下載) |
第6週 |
4/05 |
清明節 |
第7週 |
4/12 |
XRD (Swaminathan and Herman) (XRD Panish Herman 投影片下載)
Electrical Characterization (Swaminathan) |
第8週 |
4/19 |
Electrical Characterization (Swaminathan)(投影片下載已更新) |
第9週 |
4/26 |
Mid-term Exam |
第10週 |
5/03 |
Electrical Characterization (Swaminathan)Optical Characterization (Swaminathan) |
第11週 |
5/10 |
Optical Characterization (Swaminathan)(投影片下載) |
第13週 |
5/24 |
Optical Characterization (Panish)(投影片下載) |
第14週 |
5/31 |
Optical Characterization (Panish) |
第15週 |
6/07 |
論文報告 |
第16週 |
6/14 |
論文報告 |
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