課程名稱 |
寬能隙半導體技術 WIDE GAP SEMICONDUCTOR TECHNOLOGIES |
開課學期 |
97-1 |
授課對象 |
電機資訊學院 電機工程學研究所 |
授課教師 |
馮哲川 |
課號 |
OE5026 |
課程識別碼 |
941EU0350 |
班次 |
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學分 |
3 |
全/半年 |
半年 |
必/選修 |
選修 |
上課時間 |
星期三5,6,7(12:20~15:10) |
上課地點 |
博理212 |
備註 |
本課程以英語授課。 總人數上限:30人 |
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課程簡介影片 |
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核心能力關聯 |
核心能力與課程規劃關聯圖 |
課程大綱
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為確保您我的權利,請尊重智慧財產權及不得非法影印
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課程概述 |
內容- Contents: consisting of 15 Chapters, such as
Preface Foreword
1. Introduction
2. Background
3. Physics of Gallium Nitride and Related Compounds
4. GaN Growth
5. p-Type GaN Obtained by Electron Beam Irradiation
6. n-Type GaN
7. P-Type GaN
8. InGaN
9. Zn and Si Co-Doped InGaN/AIGaN Double-Heterostructure Blue and Blue-Green LEDs
10. InGaN Single-Quantum-well LEDs
11. Room-Temperature Pulsed Operation of Laser Diodes
12. Emission Mechanisms of LEDs and LDs
13. Room Temperature CW Operation of InGaN MQVV LDs
14. Latest Results: Lasers with Self-Organized InGaN Quantum Dots
15. Conclusions
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課程目標 |
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課程要求 |
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預期每週課後學習時數 |
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Office Hours |
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參考書目 |
教科書: The Blue Laser Diode - The Complete Story
by Nakamura, Shuji, Pearton, Stephen, and Fasol, Gerhard |
指定閱讀 |
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評量方式 (僅供參考) |
No. |
項目 |
百分比 |
說明 |
1. |
期中考 |
20% |
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2. |
期末考 |
20% |
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3. |
作業 |
20% |
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4. |
報告 |
20% |
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5. |
出席 |
20% |
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