課程資訊
課程名稱
寬能隙半導體技術
WIDE GAP SEMICONDUCTOR TECHNOLOGIES 
開課學期
94-2 
授課對象
學程  光電科技學程  
授課教師
馮哲川 
課號
OE5026 
課程識別碼
941EU0350 
班次
 
學分
全/半年
半年 
必/選修
選修 
上課時間
星期三5,6,7(12:20~15:10) 
上課地點
博理212 
備註
本課程以英語授課。
總人數上限:30人 
 
課程簡介影片
 
核心能力關聯
核心能力與課程規劃關聯圖
課程大綱
為確保您我的權利,請尊重智慧財產權及不得非法影印
課程概述

1) 內容- Contents: consisting of 15 Chapters, such as
Preface Foreword
1. Introduction
2. Background
3. Physics of Gallium Nitride and Related Compounds
4. GaN Growth
5. p-Type GaN Obtained by Electron Beam Irradiation
6. n-Type GaN
7. P-Type GaN
8. InGaN
9. Zn and Si Co-Doped InGaN/AIGaN Double-Heterostructure Blue and Blue-Green LEDs
10. InGaN Single-Quantum-well LEDs
11. Room-Temperature Pulsed Operation of Laser Diodes
12. Emission Mechanisms of LEDs and LDs
13. Room Temperature CW Operation of InGaN MQVV LDs
14. Latest Results: Lasers with Self-Organized InGaN Quantum Dots
15. Conclusions

2) 教科書: The Blue Laser Diode - The Complete Story
by Nakamura, Shuji, Pearton, Stephen, and Fasol, Gerhard (Springer, 2000)
3) 成績評量方式 :
Homework (20%), mid-term exam (40%), final exam (40%)
 

課程目標
.. 
課程要求
 
預期每週課後學習時數
 
Office Hours
 
參考書目
 
指定閱讀
 
評量方式
(僅供參考)
   
課程進度
週次
日期
單元主題