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課程名稱 |
光電儀測
Electro-optical Instrumentation |
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開課學期 |
103-1 |
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授課對象 |
電機資訊學院 光電工程學研究所 |
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授課教師 |
林恭如 |
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課號 |
OE5039 |
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課程識別碼 |
941 U0480 |
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班次 |
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學分 |
3 |
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全/半年 |
半年 |
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必/選修 |
選修 |
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上課時間 |
星期二6,7,8(13:20~16:20) |
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上課地點 |
電二102 |
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備註 |
總人數上限：20人 |
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課程簡介影片 |
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核心能力關聯 |
核心能力與課程規劃關聯圖 |
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課程大綱
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為確保您我的權利,請尊重智慧財產權及不得非法影印
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課程概述 |
1.結構分析儀器: 掃描式電子顯微鏡, 穿透式電子顯微鏡, 二次離子質譜儀, 歐傑光譜儀, X射束繞射分析, 艘描穿隧探針顯微束, 原子力顯微術, 近場光學顯微術
2.光學常數分析: 光學顯微鏡, 橢圓儀, 富士轉換光譜儀, 連續波光反射譜儀, 光機螢光光譜儀
3.時析暫態光學量測: 時析反射譜儀, 時析螢光光譜儀, 時析泵探系統, 電光與光導取樣系統
4.電性分析: 電流電壓特性分析儀, 電容電壓特性分析儀, 電阻與電阻率分析, 或爾效應與載子移動率分析, 雜質濃度與載子生命期分析
6.光子與光電元件分析: 雷射二極體性能分析,光偵測器響應分析, 光強度調變器分析 |
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課程目標 |
本課程將以兼顧理論基礎與實用性的觀點向學生介紹以半導體為主的光電材料與元件檢測技術, 內容將涵蓋結構、電性、光學與光電特性分析等, 使同學們透過本課程的學習了解光電半導體材料與元件特性分析中, 所需要的各項量測儀器之檢測原理以及其系統架構, 並學習其應用於實際參數測試之量測範圍以及侷限性, 俾便同學藉由此課程之修習深入了解各類型結構/光學/電子/半導體特性分析系統 |
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課程要求 |
1. 口頭演示與專題報告Oral presentation and report, 40%.
2. 期中或期末考試Mid-term and/or final examination, 60%. |
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預期每週課後學習時數 |
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Office Hours |
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參考書目 |
教科書： 1.D. K. Schroder, “Semiconductor Material and Device Characterization”, Wiley, 1998.
參考書目： 2.P. Bhattacharya, “Semiconductor Optoelectronic Devices”, 2nd ed., Prentice Hall |
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指定閱讀 |
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評量方式
(僅供參考) |
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