課程資訊
課程名稱
光電儀測
Electro-optical Instrumentation 
開課學期
105-1 
授課對象
電機資訊學院  生醫電子與資訊學研究所  
授課教師
林恭如 
課號
OE5039 
課程識別碼
941 U0480 
班次
 
學分
全/半年
半年 
必/選修
選修 
上課時間
星期二7,8,9(14:20~17:20) 
上課地點
電二102 
備註
總人數上限:20人 
 
課程簡介影片
 
核心能力關聯
核心能力與課程規劃關聯圖
課程大綱
為確保您我的權利,請尊重智慧財產權及不得非法影印
課程概述

本課程將以兼顧理論基礎與實用性的觀點向學生介紹以半導體為主的光電元件.內容將涵蓋元件原理、材料特性、元件結構、製程與應用等。其主要課程內容為
1. 結構分析
2. 光學特性分析
3. 時析光學特性量測
4. 電性分析
5. 載子活期與移動率分析
6. 光電元件分析
 

課程目標
1. Structural Analysis
SEM, TEM, SIMS, AES, X-ray diffractrometry, STM
2. Optical Constants
Optical Microscopy, Ellipsometry, FTIR, CWPR, PL
3. Time-Resolved Optical Measurements
TRPR, TRPL, Pump-Probe, EOS, PCS
4. Defects.and Carrier Lifetimes
5. Characterization of Photonic Devices
Photodetectors (PD), Optical Modulators (EAM), Laser Diodes (LD)
 
課程要求
1. Mid-term Exam
2, Final report
3. laboratory experiment 
預期每週課後學習時數
 
Office Hours
 
參考書目
3. Wilson and Hawkes, “optoelectronics”, Prentice Hall International, 1997.
4. Fukuda, “Optical Semiconductor Devices”, John Wiley and Sons, 1999.
5. Singh, “Semiconductor Optoelectronics: Physics and Technology”, McGraw Hill, 1998.
6. Donati, “Photodetectors: Device, Circuit, and Applications”, Prentice Hall, 2000.
 
指定閱讀
Textbook:
Lecture
Reference:
1. D. K. Schroder, “Semiconductor Material and Device Characterization”, Wiley, 1998.
2. P. Bhattacharya, “Semiconductor Optoelectronic Devices”, 2nd ed., Prentice Hall, 1997.
 
評量方式
(僅供參考)
 
No.
項目
百分比
說明
1. 
Mid-term Exam 
50% 
Open Lecture 
2. 
Final Report 
50% 
lab experiments, slides, papers, oral presentation for 15 minutes 
 
課程進度
週次
日期
單元主題
第1週
  Introduction 
第2週
  SEM 
第3週
  SIMS I 
第4週
  SIMS II and AES I 
第5週
  AES I and AES II 
第6週
  TEM I 
第7週
  TEM II and STM 
第8週
  STM and AFM 
第9週
  Mid-Term Exam 
第10週
  NSOM and Confocal Microscopy 
第11週
  Optical Microscopy, Ellipsometry,  
第12週
  Defects 
第13週
  PL 
第14週
  lab experiments I - Sources, Detectors, Analyses 
第15週
  lab experiments II - Sources, Detectors, Analyses 
第16週
  TRPR, TRPL, Pump-Probe 
第17週
  Final Report