課程資訊
課程名稱
記憶體電路技術
Memory Circuit Technology 
開課學期
110-2 
授課對象
電機資訊學院  電子工程學研究所  
授課教師
胡璧合 
課號
EEE5057 
課程識別碼
943 U0590 
班次
 
學分
3.0 
全/半年
半年 
必/選修
選修 
上課時間
星期三6,7,8(13:20~16:20) 
上課地點
電二104 
備註
總人數上限:30人 
 
課程簡介影片
 
核心能力關聯
核心能力與課程規劃關聯圖
課程大綱
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課程概述

本課程首先介紹半導體元件操作,從半導體元件的演進、新興元件的引入、基本
SRAM cell及其週邊電路設計的介紹,及技術與電路之共同最佳化等主題,並討論
半導體元件微縮所帶來的挑戰,討論變異度及可靠度對SRAM所帶來的影響。第二
部分會介紹適用於超低電壓的SRAM設計及先進元件之SRAM設計。第三部分會就揮
發性記憶體DRAM,及其他非揮發性記憶體的操作原理及基本記憶胞結構等做介紹。
1. Introduction and device semiconductor physics
2. Overview of the semiconductor memory
3. 6T SRAM basic cell
4. SRAM: Peripheral circuits
5. SRAM: Read/write assist circuits
6. Design challenges for nanometer SRAM
7. 8T SRAM cell
8. Asymmetrical SRAM
9. Low power subthreshold SRAM
10. Fully-depleted SOI (FD/SOI) and multi-gate FinFET SRAM
11. DRAM technology
12. Flash memory technology and emerging non-volatile memory technologies 

課程目標
了解前瞻記憶體元件及電路之運用與技術發展。藉由回顧過去至今記憶體技術之
演進與微縮挑戰,並探討各式運用電荷儲存、阻抗、相變與奈米系統之新興記憶
體元件的類型、工作原理、基本的記憶單元結構和製程技術,以及當前之研究課
題等。適合有興趣了解未來固態記憶體元件發展趨勢之同學,選修者應具備半導
體元件物理之基礎知識。 
課程要求
1.預修科目:固態電子學或電子學一
2.成績評量方式:
(1) 期中考 40 %
(2) 期末考 40 %
(3) 期末書面報告 15%
(4) Class participation 5% 
預期每週課後學習時數
 
Office Hours
 
參考書目
[1] B. Jacob et al, “Memory Systems- Cache, DRAM and Disk”,
Morgan Kaufmann 2008
[2] K Itoh, VLSI Memory Chip Design”, Springer 2001
[3] B Keeth et al, “DRAM Circuit Design: Fundamentals and High
Speed Topics”, 2007
[4] G. Campardo et al, “VLSI Design of Non-Volatile Memories”,
Springer 2004
[5] C. Kim and H. Lee, “High-Bandwidth Memory Interface”,
Springer 2013
[6] Some class materials are based on papers published at
international conferences and journals in recent years. 
指定閱讀
 
評量方式
(僅供參考)
   
課程進度
週次
日期
單元主題
無資料