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課程名稱 |
固態元件
SOLID STATE DEVICES |
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開課學期 |
96-2 |
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授課對象 |
電機資訊學院 光電工程學研究所 |
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授課教師 |
郭宇軒 |
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課號 |
EEE5017 |
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課程識別碼 |
943 U0180 |
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班次 |
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學分 |
3 |
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全/半年 |
半年 |
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必/選修 |
選修 |
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上課時間 |
星期二6,7,8(13:20~16:20) |
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上課地點 |
明達231 |
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備註 |
總人數上限：60人 |
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Ceiba 課程網頁 |
http://ceiba.ntu.edu.tw/962_ssd |
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課程簡介影片 |
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核心能力關聯 |
核心能力與課程規劃關聯圖 |
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課程大綱
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為確保您我的權利,請尊重智慧財產權及不得非法影印
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課程概述 |
(1) 固態元件的發展及其相關的物理基礎
(2) 金屬-半導體及半導體異質接面 (M-S Junctions and Heterostructures)
(3) 接面及金屬-半導體場效電晶體 (JFETs and MESFETs)
(4) 金屬-氧化層-半導體場效電晶體 (MOSFETs)
(5) 雙載子電晶體 (BJTs)
(6) 光電元件--太陽能電池、光偵測器、發光及雷射二極體 (Solar Cells, Photodetectors, LEDs, and Lasers) |
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課程目標 |
本課程為銜接大學部電子學及研究所固態電子光電元件之課程，根據大學部及本學院各研究所學生對固態元件應有的認知，提供一基礎性的介紹，諸如：元件的設計原理及可能碰到的問題等。 |
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課程要求 |
預修課程：電子學 |
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預期每週課後學習時數 |
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Office Hours |
另約時間 備註： Please email me to assign an office meeting. |
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指定閱讀 |
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參考書目 |
教科書： Semiconductor Physics and Devices Basic Principle, Donald A. Neamen, 2003, 3rd ed.
參考書目： 1. Device Electronics for Integrated Circuits, by Muller, Kamins, and Chan, 2002.
2. Physics of Semiconductor Devices, Sze and Ng, 2006. |
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評量方式
(僅供參考) |
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No. |
項目 |
百分比 |
說明 |
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1. |
Homeworks |
30% |
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2. |
Midterm Exam |
35% |
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3. |
Final Exam |
35% |
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週次 |
日期 |
單元主題 |
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第1週 |
2/19 |
Introduction; Review of Basic Semicondcutor Physics |
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第2週 |
2/26 |
Review of P-N Junction Devices |
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第3週 |
3/04 |
Metal-Semiconductor Junctions and Semiconductors Heterostructures (1) |
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第4週 |
3/11 |
Metal-Semiconductor Junctions and Semiconductors Heterostructures (2);JFETs (1) |
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第5週 |
3/18 |
JFET (2) |
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第6週 |
3/25 |
MOSFETs (1): MOS |
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第7週 |
4/01 |
MOSFETs (2): MOSFET |
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第8週 |
4/08 |
MOSFETs (3): Additional Concepts |
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第9週 |
4/15 |
MOSFETs (4): MOS Devices and Trends |
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第10週 |
4/22 |
Midterm Exam |
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第11週 |
4/29 |
BJTs (1) |
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第12週 |
5/06 |
BJTs (2) |
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第13週 |
5/13 |
ISTDM (International SiGe Conference) |
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第14週 |
5/20 |
Optical Devices (1) |
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第15週 |
5/27 |
Optical Devices (2) |
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第16週 |
6/03 |
Optical Devices (3) |
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第17週 |
6/10 |
Optical Devices (4) |
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第18週 |
6/17 |
Final Exam |
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